半導體信息雜志收錄論文類型主要包括：企業指南、國內外半導體技術與器件、市場動態等。
雜志論文要求：
1、文稿應具有創造性、科學性、實用性。應立論新穎、論據充分、數據可靠、文字精煉，嚴禁抄襲。
2、文章題名要求簡明、具體、新穎，中文題名不得超過20個字，必要時可加副標題，并有英文翻譯。
3、參考文獻：引文務必準確，參考文獻表中列出的應限于作者直接閱讀過的、最主要的、發表在正式出版物上并且在文章中直接引用的文獻；按GB7714-87的規定采用順序編碼標注制著錄。
4、論著須附200～300字中英文摘要，包括目的、方法、結果、結論。
5、作者簡介，包括姓名、出生年份、性別、民族、學位、職稱、從事的主要工作、E-mail等。
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雜志往期論文摘錄展示
美國布法羅大學研制出耐壓1850V的氧化鎵晶體管提高器件功率并保持小體積、低質量
成都集成電路行業協會成立推進產業聯動、構建特色產業生態
宜普電源轉換公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶體管
意法半導體和Leti合作開發硅基氮化鎵功率轉換技術
氮化鎵（GaN）器件可滿足雷達、電子戰（EW）和通信系統所需的高性能、高功率和
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