固體電子學研究與進展雜志收錄論文類型主要包括：三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊等。
雜志論文要求：
1、論文摘要字數請控制在400字以內，內容要明確體現核心觀點、創新之處及研究方法。
2、作者單位用腳注方式（阿拉伯數字）書寫在正文第1頁最下方，寫明所有作者的工作單位、城市(或縣)和郵政編碼。第一作者必須在文末提交個人簡介。書寫格式依次為：姓名(出生年～)、性別、民族、學歷、職稱、研究方向等。
3、文章各章節或內容層次的序號,一般依一、(一)、1、(1)等順序表示。
4、論文標題的層級，按一、（一）、1、（1）……排列，標題序號后不加逗號，標題末尾不加句號。
5、注意引用近兩年國內外的最新文獻。本刊采用順序編碼制標注參考文獻，文獻序號按出現先后排序，并在文中相應處標出。
固體電子學研究與進展雜志是由中國電子科技集團公司主管，南京電子器件研究所主辦的統計源期刊，影響因子為：0.29。順應社會的發展，雜志獲得了多項榮譽：中國優秀期刊遴選數據庫、中國期刊全文數據庫（CJFD）、中科雙效期刊、中國科技期刊優秀期刊、中國期刊方陣雙效期刊等。
雜志往期論文摘錄展示
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場板結構對AlGaN/GaN HEMT溫度場的影響
短溝道MOSFET源漏寄生電阻的二維半解析模型
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