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Microelectronic Engineering

Microelectronic Engineering SCIE

微電子工程雜志

中科院分區:4區 JCR分區:Q2 預計審稿周期: 約6.0個月

《Microelectronic Engineering》是一本由Elsevier出版商出版的工程技術國際刊物,國際簡稱為MICROELECTRON ENG,中文名稱微電子工程。該刊創刊于1983年,出版周期為Monthly。 《Microelectronic Engineering》2023年影響因子為2.6,被收錄于國際知名權威數據庫SCIE。

ISSN:0167-9317
研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
是否預警:否
E-ISSN:1873-5568
出版地區:NETHERLANDS
Gold OA文章占比:15.94%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0.1274...
出版商:Elsevier
出版周期:Monthly
影響因子:2.6
創刊時間:1983
年發文量:100
雜志簡介 中科院分區 JCR分區 CiteScore 發文統計 通訊方式 相關雜志 期刊導航

Microelectronic Engineering 雜志簡介

《Microelectronic Engineering》重點專注發布工程技術-工程:電子與電氣領域的新研究,旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發表他們的高質量實驗研究和理論結果。該雜志創刊至今,在工程技術-工程:電子與電氣領域,有較高影響力,對來稿文章質量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Microelectronic Engineering 雜志中科院分區

中科院SCI分區數據
中科院SCI期刊分區(2023年12月升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區 4區
中科院SCI期刊分區(2022年12月升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區 3區 4區 4區
中科院SCI期刊分區(2021年12月舊的升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區 3區 4區 4區
中科院SCI期刊分區(2021年12月基礎版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區 4區
中科院SCI期刊分區(2021年12月升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區 3區 4區 4區
中科院SCI期刊分區(2020年12月舊的升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區 3區 3區
中科院分區趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區:中科院JCR期刊分區(又稱分區表、分區數據)是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標,一般而言,發表在1區和2區的SCI論文,通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數據,現已成為國際上通用的期刊評價指標,不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標,而且也是測度期刊的學術水平,乃至論文質量的重要指標。

Microelectronic Engineering 雜志JCR分區

Web of Science 數據庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 157 / 352

55.5%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.2%

學科:OPTICS SCIE Q2 45 / 119

62.6%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 179

55%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 74 / 140

47.5%

學科:OPTICS SCIE Q3 64 / 120

47.08%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 88 / 179

51.12%

Microelectronic Engineering CiteScore 評價數據(2024年最新版)

  • CiteScore:5.3
  • SJR:0.503
  • SNIP:0.847

CiteScore 排名

學科類別 分區 排名 百分位
大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics Q2 127 / 434

70%

大類:Physics and Astronomy 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 68 / 224

69%

大類:Physics and Astronomy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 242 / 797

69%

大類:Physics and Astronomy 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 87 / 284

69%

大類:Physics and Astronomy 小類:Surfaces, Coatings and Films Q2 42 / 132

68%

CiteScore趨勢圖
年發文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發布的一個評價學術期刊質量的指標,該指標是指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現期刊質量的重要指標,給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Microelectronic Engineering 雜志發文統計

文章名稱引用次數

  • Beyond the lateral flow assay: A review of paper-based microfluidics40
  • 3D printed microfluidics and microelectronics36
  • Brain-inspired computing with resistive switching memory (RRAM): Devices, synapses and neural networks36
  • Emerging trends in wide band gap semiconductors (SiC and GaN) technology for power devices32
  • Focused electron beam induced deposition meets materials science29
  • Micropumps and biomedical applications - A review25
  • Conduction mechanisms, dynamics and stability in ReRAMs17
  • Beyond 100 nm resolution in 3D laser lithography - Post processing solutions17
  • Microfluidic platforms for cell cultures and investigations17
  • Using block copolymers as infiltration sites for development of future nanoelectronic devices: Achievements, barriers, and opportunities11

國家/地區發文量

  • CHINA MAINLAND104
  • South Korea80
  • France56
  • USA47
  • Japan45
  • GERMANY (FED REP GER)41
  • India36
  • Taiwan31
  • Greece27
  • Italy27

機構發文發文量

  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)38
  • CEA22
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES18
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES15
  • FUDAN UNIVERSITY14
  • TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK13
  • AUTONOMOUS UNIVERSITY OF BARCELONA12
  • CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE (CNR)12
  • NATIONAL CENTRE OF SCIENTIFIC RESEARCH DEMOKRITOS12
  • CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC)10

Microelectronic Engineering 雜志社通訊方式

《Microelectronic Engineering》雜志通訊方式為:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務,SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學術規范,詳情請咨詢客服。

免責聲明

若用戶需要出版服務,請聯系出版商:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。

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