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雜志簡介中科院分區 JCR分區 CiteScore 發文統計通訊方式相關雜志期刊導航

Ieee Electron Device Letters 雜志簡介

《Ieee Electron Device Letters》重點專注發布工程技術-工程：電子與電氣領域的新研究，旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發表他們的高質量實驗研究和理論結果。根據網友分享的投稿經驗，平均審稿速度為約1.3個月。該雜志創刊至今，在工程技術-工程：電子與電氣領域，影響力非凡，對來稿文章質量要求很高，稿件投稿過審難度很大，刊登文章的學術水平和編輯質量在同類雜志中均名列前茅。如果你想在該雜志上發表論文，你可以向編輯部提交文章，但文章必須具有重要意義并代表該領域專業的發展。我們歡迎廣大同領域的研究者提交投稿。

Ieee Electron Device Letters 雜志中科院分區

中科院SCI分區數據

中科院SCI期刊分區（2023年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區	否	否

中科院SCI期刊分區（2022年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月舊的升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月基礎版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區	否	否

中科院SCI期刊分區（2020年12月舊的升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	2區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區	否	否

中科院分區趨勢圖

影響因子趨勢圖

中科院JCR分區：中科院JCR期刊分區（又稱分區表、分區數據）是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果，是衡量學術期刊影響力的一個重要指標，一般而言，發表在1區和2區的SCI論文，通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數據，現已成為國際上通用的期刊評價指標，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標，而且也是測度期刊的學術水平，乃至論文質量的重要指標。

Ieee Electron Device Letters 雜志JCR分區

Web of Science 數據庫（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	94 / 352	73.4%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	77 / 354	78.39%

Ieee Electron Device Letters CiteScore 評價數據（2024年最新版）

CiteScore：8.2
SJR：1.25
SNIP：1.5

CiteScore 排名

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q1	128 / 797	84%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	51 / 284	82%

CiteScore趨勢圖

年發文量趨勢圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發布的一個評價學術期刊質量的指標，該指標是指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現期刊質量的重要指標，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Electron Device Letters 雜志發文統計

文章名稱引用次數
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage > 1 kV38
An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor36
Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 MOSFETs28
Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque27
Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping27
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz26
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation24
1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs24
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga's Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm(2)23
First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications22
國家/地區發文量
CHINA MAINLAND577
USA282
South Korea174
Taiwan123
Japan65
England60
India49
Belgium37
GERMANY (FED REP GER)37
France32
機構發文發文量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES84
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM70
XIDIAN UNIVERSITY56
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY49
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY48
PEKING UNIVERSITY42
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA42
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)36
IMEC35
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY35

Ieee Electron Device Letters 雜志社通訊方式

《Ieee Electron Device Letters》雜志通訊方式為：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學術規范，詳情請咨詢客服。