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雜志簡介中科院分區 JCR分區 CiteScore 發文統計通訊方式相關雜志期刊導航

Semiconductors 雜志簡介

《Semiconductors》重點專注發布物理-物理：凝聚態物理領域的新研究，旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發表他們的高質量實驗研究和理論結果。該雜志創刊至今，在物理-物理：凝聚態物理領域，有較高影響力，對來稿文章質量要求較高，稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Semiconductors 雜志中科院分區

中科院SCI分區數據

中科院SCI期刊分區（2023年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	4區	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理	4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2022年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	4區	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理	4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月舊的升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	4區	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理	4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月基礎版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理	4區	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理	4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	4區	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理	4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2020年12月舊的升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	4區	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理	4區	否	否

中科院分區趨勢圖

影響因子趨勢圖

中科院JCR分區：中科院JCR期刊分區（又稱分區表、分區數據）是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果，是衡量學術期刊影響力的一個重要指標，一般而言，發表在1區和2區的SCI論文，通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數據，現已成為國際上通用的期刊評價指標，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標，而且也是測度期刊的學術水平，乃至論文質量的重要指標。

Semiconductors 雜志JCR分區

Web of Science 數據庫（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q4	74 / 79	7%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q4	74 / 79	6.96%

Semiconductors CiteScore 評價數據（2024年最新版）

CiteScore：1.5
SJR：0.173
SNIP：0.314

CiteScore 排名

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Materials Science 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q4	222 / 284	22%
大類：Materials Science 小類：Condensed Matter Physics	Q4	340 / 434	21%
大類：Materials Science 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q4	176 / 224	21%

CiteScore趨勢圖

年發文量趨勢圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發布的一個評價學術期刊質量的指標，該指標是指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現期刊質量的重要指標，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Semiconductors 雜志發文統計

文章名稱引用次數

Experimental Observation of Dyakonov Plasmons in the Mid-Infrared9
Thick -Ga2O3 Layers on Sapphire Substrates Grown by Halide Epitaxy7
Crystallization of Amorphous Germanium Films and Multilayer a-Ge/a-Si Structures upon Exposure to Nanosecond Laser Radiation6
Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate5
Heterostructures of Single-Wavelength and Dual-Wavelength Quantum-Cascade Lasers5
Microlens-Enhanced Substrate Patterning and MBE Growth of GaP Nanowires5
Proton Irradiation of 4H-SiC Photodetectors with Schottky Barriers5
Microstructure and Optical Bandgap of Cobalt Selenide Nanofilms5
Discovery of III-V Semiconductors: Physical Properties and Application5
Ultrasonic-Assisted Exfoliation of Graphitic Carbon Nitride and its Electrocatalytic Performance in Process of Ethanol Reforming5

Semiconductors 雜志社通訊方式

《Semiconductors》雜志通訊方式為：MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學術規范，詳情請咨詢客服。