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雜志簡介中科院分區 JCR分區 CiteScore 發文統計通訊方式相關雜志期刊導航

Chinese Physics B 雜志簡介

《Chinese Physics B》重點專注發布物理-物理：綜合領域的新研究，旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發表他們的高質量實驗研究和理論結果。該雜志創刊至今，在物理-物理：綜合領域，有較高影響力，對來稿文章質量要求較高，稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Chinese Physics B 雜志中科院分區

中科院SCI分區數據

中科院SCI期刊分區（2023年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	4區	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：綜合	4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2022年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	3區	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：綜合	3區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月舊的升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	3區	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：綜合	3區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月基礎版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理	3區	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：綜合	3區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	3區	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：綜合	3區	否	否

中科院SCI期刊分區（2020年12月舊的升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
物理與天體物理	3區	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：綜合	3區	否	否

中科院分區趨勢圖

影響因子趨勢圖

中科院JCR分區：中科院JCR期刊分區（又稱分區表、分區數據）是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果，是衡量學術期刊影響力的一個重要指標，一般而言，發表在1區和2區的SCI論文，通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數據，現已成為國際上通用的期刊評價指標，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標，而且也是測度期刊的學術水平，乃至論文質量的重要指標。

Chinese Physics B 雜志JCR分區

Web of Science 數據庫（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q2	55 / 110	50.5%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q2	55 / 110	50.45%

Chinese Physics B CiteScore 評價數據（2024年最新版）

CiteScore：2.8
SJR：0.35
SNIP：0.5

CiteScore 排名

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Physics and Astronomy 小類：General Physics and Astronomy	Q2	118 / 243	51%

CiteScore趨勢圖

年發文量趨勢圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發布的一個評價學術期刊質量的指標，該指標是指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現期刊質量的重要指標，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Chinese Physics B 雜志發文統計

文章名稱引用次數

Black phosphorus-based field effect transistor devices for Ag ions detection27
A new nonlinear oscillator with infinite number of coexisting hidden and self-excited attractors27
A theoretical study of a plasmonic sensor comprising a gold nano-disk array on gold film with a SiO2 spacer27
Fundamental and progress of Bi2Te3-based thermoelectric materials24
Effects of filler loading and surface modification on electrical and thermal properties of epoxy/montmorillonite composite23
Optoelectronic properties analysis of silicon light-emitting diode monolithically integrated in standard CMOS IC18
MXene Ti3C2Tx saturable absorber for pulsed laser at 1.3 mu M18
Photodetectors based on inorganic halide perovskites: Materials and devices17
Review of deep ultraviolet photodetector based on gallium oxide15
Imaging the diffusion pathway of Al3+ ion in NASICON-type (Al0.2Zr0.8)(20/19)Nb(PO4)(3) as electrolyte for rechargeable solid-state Al batteries15

Chinese Physics B 雜志社通訊方式

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