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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability SCIE

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability雜志

中科院分區(qū):3區(qū) JCR分區(qū):Q2 預(yù)計審稿周期: 較慢,6-12周

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技術(shù)國際刊物,國際簡稱為IEEE T DEVICE MAT RE,中文名稱IEEE Transactions on Device and Materials Reliability。該刊創(chuàng)刊于2001年,出版周期為Quarterly。 《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》2023年影響因子為2.5,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:1530-4388
研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1558-2574
出版地區(qū):UNITED STATES
Gold OA文章占比:24.52%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期:Quarterly
影響因子:2.5
創(chuàng)刊時間:2001
年發(fā)文量:72
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志簡介

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》重點專注發(fā)布工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的新研究,旨在促進和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域,有較高影響力,對來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability CiteScore 評價數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:4.8
  • SJR:0.436
  • SNIP:1.148

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%

大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • A First-Principles Study of the SF6 Decomposed Products Adsorbed Over Defective WS2 Monolayer as Promising Gas Sensing Device23
  • Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its Impact on Circuit Operation9
  • Comparative Thermal and Structural Characterization of Sintered Nano-Silver and High-Lead Solder Die Attachments During Power Cycling9
  • Output-Power Enhancement for Hot Spotted Polycrystalline Photovoltaic Solar Cells8
  • Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Test Methodology for Predicting Thermomechanical Reliability7
  • Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide Thin Film Capacitive Moisture Sensor7
  • Impacts of Process and Temperature Variations on the Crosstalk Effects in Sub-10 nm Multilayer Graphene Nanoribbon Interconnects6
  • Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories6
  • A Compact and Self-Isolated Dual-Directional Silicon Controlled Rectifier (SCR) for ESD Applications6
  • A Review on Hot-Carrier-Induced Degradation of Lateral DMOS Transistor6

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • USA52
  • CHINA MAINLAND51
  • India50
  • Taiwan35
  • France20
  • Italy18
  • Belgium15
  • Austria14
  • Japan13
  • GERMANY (FED REP GER)12

機構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)23
  • IMEC15
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)14
  • STMICROELECTRONICS10
  • TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN9
  • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY8
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY8
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES7
  • GLOBALFOUNDRIES7
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES6

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志社通訊方式

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志通訊方式為:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請咨詢客服。

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

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