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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability雜志影響因子怎么看?

來源:發(fā)表之家網(wǎng)整理 2024-09-12 12:13:49

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志的影響因子為2.5。

影響因子趨勢圖

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價(jià)指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

以下是如何查看影響因子的幾種方法:

一、通過專業(yè)數(shù)據(jù)庫查詢

1. 通過Web of Science數(shù)據(jù)庫查詢:Web of Science是一個(gè)權(quán)威的學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫,提供期刊影響因子的官方數(shù)據(jù)。

2.中國知網(wǎng)(CNKI):在CNKI中,用戶可以通過期刊導(dǎo)航功能搜索目標(biāo)期刊,并在期刊詳情頁面查看其影響因子。

3.使用JCR:JCR是專門提供期刊引證報(bào)告的工具,隸屬于Web of Science。

二、查閱學(xué)術(shù)期刊官方網(wǎng)站

許多學(xué)術(shù)期刊會(huì)在其官方網(wǎng)站上公布最新的影響因子數(shù)據(jù)。

三、參考學(xué)術(shù)權(quán)威指南和排名

影響因子是一個(gè)動(dòng)態(tài)變化的指標(biāo),會(huì)隨著時(shí)間的推移而發(fā)生變化。因此,在查看影響因子時(shí),需要關(guān)注其發(fā)布的時(shí)間點(diǎn)。

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志創(chuàng)刊于2001年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期為Quarterly,國際簡稱為IEEE T DEVICE MAT RE,中文名稱IEEE Transactions on Device and Materials Reliability。該雜志旨在及時(shí)、準(zhǔn)確、全面地報(bào)道國內(nèi)外工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域取得的最新研究成果、工作進(jìn)展及學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)、技術(shù)革新等,促進(jìn)學(xué)術(shù)交流,鼓勵(lì)學(xué)術(shù)創(chuàng)新。

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志分區(qū)情況

中科院分區(qū):在中科院最新升級(jí)版分區(qū)表中,大類學(xué)科工程技術(shù)位于3區(qū),小類學(xué)科ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:電子與電氣位于3區(qū)。

JCR分區(qū):根據(jù)最新JCR分區(qū), 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)中學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,位于Q2區(qū),排名165 / 352,百分位53.3%;PHYSICS, APPLIED,位于Q2區(qū),排名87 / 179,百分位51.7%; 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)中學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,位于Q3區(qū),排名186 / 354,百分位47.6%。PHYSICS, APPLIED,位于Q3區(qū),排名99 / 179,百分位44.97%。

投稿咨詢

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志評價(jià)數(shù)據(jù)

影響因子:2.5

Gold OA文章占比:24.52%

CiteScore:4.8

SJR:0.436

SNIP:1.148

年發(fā)文量:72

年發(fā)文量趨勢圖

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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

影響因子:2.5

大類學(xué)科:工程技術(shù)

中科院:3區(qū)

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